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      1. 32MHz(2520)8pF晶振匹配報告

        瀏覽量: 上傳更新:2020-09-26 14:25

        康柏電子電路設計匹配報告書
         

           
        客戶名稱: 機器型號:E327208-1# 芯片型號:CY8C582S7F 零件位置:X1 標稱頻率:32MHz(2520)
        負載電容:8pF 調整頻差:±10ppm 等效阻抗:50Ω(Max) 激勵功率:100μW(Max)
        測試目的:1、頻率精準度測量
        2、負性阻抗測量
        3、激勵功率測量
         

        測試日期:2018 年 02 月 02 日
         

        報告編號 測試 審核 簽發
        CM2018022 沈錦雷 / 高志祥

        1.頻率準確度測量:

        取 CEC 晶體 上述規格晶體測試其參數
        S&A 250B: 13.15 Report: 4.62
        Reference Fr:32MHz (Using Measured FL) Power: 100.0μw Into RR
        PL: 0.00ohms CL: 8.0pF
        晶體號數 狀態 FL Rr CO C6 Ts
        (ppm) (ohm) (pF) (fF) (ppm/pF) CEC NO.1 Pass 3.8 14.6 0.85 3.1 19.6

        初始電路設計 CY1=CY2=/,狀況如下: CEC 晶體在電路板中測試:
        (1)測試儀器:銣鐘:SRS-FS725(帶 GPS)
        網絡分析儀:Agilent E5100A 雙通道有源探頭:Agilent 1145A LCR 表:TH2822C
        (2)測試方法:把頻率信號作為一發射源,用探頭靠近但不接觸晶體, 用頻譜儀分析其頻率參數。




        (3)測試結果:
         
         
         
         
         
         

        晶體在電路中的頻率偏差大于 9ppm。 2.負性阻抗測量

        CEC 晶體在電路板中測試負性阻抗:
        (1)測試儀器:銣鐘:SRS-FS725(帶 GPS)

        網絡分析儀: Agilent E5100A 數字萬用表:Agilent 33401A 可調電阻:1000Ω
        (2)測試步驟:
        1) 將可調電阻與石英晶體串聯接入回路
        2) 調節 Vr 使回路起振或停振
        3)  當回路剛停振時測試 Vr
        4) 得到負性阻抗值│-R│= R1+Vr R1: 晶體的阻抗值
        Vr: 可變電阻

        5). 推薦負性阻抗值 -R>10R1 測試所得負性阻抗值如下表所示:(單位:ohm)
         
         

        (3)測試結果:
         

        晶體 CL=8pF
        晶體序號 CEC NO.1
        負性阻抗 750Ω

        負性阻抗適合。

         
        3.激勵功率測量:
        CEC 晶體在電路板中測試激勵功率:
        (1) 測試儀器:示波器:Agilent54642A
        高頻電流探頭:Tek CT-6
         
         
        (2)計算公式:
         
         

        推薦激勵功率小于 100μW


        (3)測試計算結果:
         

        晶體 CL=8pF
        晶體序號 CEC NO.1
        激勵功率 22.3μW

        根據以上測試結果得出,頻率偏差較大,為減小頻率偏差,我們建議更改晶振

        規格 CL=8pF  CL=7.5pF,測試如下: 4. 頻率準確度測量:
        S&A 250B: 13.15 Report: 4.62
        Reference Fr:32MHz (Using Measured FL) Power: 100.0μw Into RR

         

         
         
         
        CEC NO.1:電路板上測試頻率 32.000441MHz(13.78ppm)
        晶體編號 單體 CL 外接電容 外接電容 S&A250B 電路板測量 頻差
        pF CY1 (pF) CY2 (pF) ppm ppm ppm
        CEC NO.1 7.5 / / 14.2 13.78 -0.42

        晶體在電路中的頻率偏差小于 1ppm。

         
        5.負性阻抗測量
         

        晶體 CL=7.5pF
        晶體序號 CEC NO.1
        負性阻抗 750Ω
        負性阻抗適合。

        6.激勵功率測量:
         

        晶體 CL=7.5pF
        晶體序號 CEC NO.1
        激勵功率 22.3μW
        激勵功率適合。

        結論:我們建議使用以下規格晶振:
        標稱頻率:32MHz晶振(2520) 負載電容:7.5pF 調整頻差:±10ppm 等效阻抗:50Ω(Max) 激勵功率:100μW(Max)
        測試數據如上,謹供參考!

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